对比图
型号 ATF-531P8-TR1G ATF-531P8-TR2
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, MO-229, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, LPCC-8射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity
数据手册 --
制造商 Broadcom (博通) AVAGO Technologies (安华高科)
分类 JFET晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 8
封装 - LPCC-8
频率 - 2 GHz
额定电压(DC) - 4.00 V
额定电流 - 300 mA
耗散功率 - 1 W
漏源极电压(Vds) - 4.00 V
连续漏极电流(Ids) - 300 mA
输出功率 - 24.5 dBm
增益 - 20 dB
测试电流 - 135 mA
工作温度(Max) - 150 ℃
封装 - LPCC-8
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free