IRLU024NPBF和STD12NF06L-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLU024NPBF STD12NF06L-1 IRLU024PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLU024NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 17A, IPAK 新N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 17.0 A 12.0 A -

漏源极电阻 0.11 Ω 0.06 Ω 100 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 42.8 W 2.5 W

产品系列 IRLU024N - -

输入电容 480pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A 14.0 A

上升时间 74.0 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 30 W 2.5 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

下降时间 - 13 ns -

耗散功率(Max) - 42.8W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)

长度 6.73 mm - 6.73 mm

高度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

宽度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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