对比图
型号 IRFD420 IRFD420PBF
描述 MOSFET N-CH 500V 370mA 4-DIPMOSFET N-CH 500V 370mA 4-DIP
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 HVMDIP-4 DIP-4
通道数 1 -
耗散功率 1W (Ta) 1000 mW
漏源极电压(Vds) 500 V -
输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)
上升时间 - 8.6 ns
下降时间 - 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
宽度 6.29 mm -
封装 HVMDIP-4 DIP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free