对比图
型号 IXTH10P50P IXTQ10P50P IXTA10P50P
描述 IXTH 系列 单 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 ADP沟道 500V 10AIXT 系列 单通道 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-263-3
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-3
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 28 ns 28 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds)
下降时间 44 ns 44 ns 44 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
极性 P-CH - P-CH
连续漏极电流(Ids) 10A - 10A
长度 - 15.8 mm -
宽度 - 4.9 mm -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free