SMCJ6.0HE3/9AT和SMCJ6.0AHE3/9AT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMCJ6.0HE3/9AT SMCJ6.0AHE3/9AT

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMCJ6.0AHE3Diode TVS Single Uni-Dir 6V 1.5kW 2Pin SMC T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AB-2 DO-214AB

工作电压 6 V 6 V

击穿电压 6.67 V 6.67 V

耗散功率 - 1.5 kW

钳位电压 11.4 V 10.3 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 6.67 V 6.67 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

封装 DO-214AB-2 DO-214AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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