JAN2N2880和JANTX2N2880

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2880 JANTX2N2880

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin,

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-210 TO-111

引脚数 - 4

击穿电压(集电极-发射极) 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 2V -

额定功率(Max) 2 W -

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

封装 TO-210 TO-111

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -

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