对比图
型号 FQI2N90 IRFBF20L IRFBF20LPBF
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETMOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Intertechnology
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 TO-262 TO-262-3 TO-262
额定电压(DC) - 900 V -
额定电流 - 1.70 A -
耗散功率 - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 900 V -
连续漏极电流(Ids) - 1.70 A -
上升时间 - 21.0 ns -
输入电容(Ciss) - 490pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -
封装 TO-262 TO-262-3 TO-262
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -