对比图
型号 IRFB4227PBF IRFZ14PBF STP75NF20
描述 200V,65A,24mΩ,N沟道功率MOSFET功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 200 V, 34 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 24 mΩ 0.2 Ω 0.034 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 330 W 43 W 190 W
产品系列 IRFB4227 - -
输入电容 4600pF @25V - 3260 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 60.0 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 65.0 A 10.0 A 47.0 A, 75.0 A
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 43 W 190 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -50 ℃
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 2 V 3 V
上升时间 - 50 ns 33 ns
下降时间 - 19 ns 29 ns
耗散功率(Max) - 43 W 190W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 10.0 A -
长度 10.66 mm 10.41 mm 10.4 mm
高度 16.51 mm 9.01 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.7 mm 4.6 mm
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17