IS61WV6416EEBLL-10BLI和IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV6416EEBLL-10BLI IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR

描述 静态随机存取存储器 1Mb 2.4V-3.6V (10ns) 64K x 16 Async 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 BGA-48 TFBGA-48

位数 16 16

存取时间 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 2.4 V -

封装 BGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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