1N6377-E3/51和ICTE15-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6377-E3/51 ICTE15-E3/73 ICTE15-E3/51

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkDiode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 15V Unidirect

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作电压 - 15 V 15 V

击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

钳位电压 20.6 V 20.6 V 20.6 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 17.6 V 17.6 V 17.6 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率 1.5 kW 1.5 kW -

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Bulk Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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