2SD1138和MJE18006

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD1138 MJE18006

描述 Silicon NPN Transistor功率晶体管 POWER TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 HITACHI (日立) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) - 450 V

额定电流 - 8.00 A

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 450 V

集电极最大允许电流 - 6A

最小电流放大倍数(hFE) - 6 @3A, 1V

额定功率(Max) - 100 W

封装 TO-220 TO-220-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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