PIC12F617-I/P和PIC12F617-I/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F617-I/P PIC12F617-I/SN PIC12F615-I/P

描述 MICROCHIP  PIC12F617-I/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC12F6xx, 20 MHz, 3.5 KB, 128 Byte, 8 引脚, DIPMICROCHIP  PIC12F617-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, PIC12F6xx, 20 MHz, 3.5 KB, 128 Byte, 8 引脚, SOICMICROCHIP  PIC12F615-I/P  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 1.75 KB, 64 Byte, 8 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 PDIP-8

频率 20 MHz 20 MHz 20 MHz

电源电压(DC) 2.00V (min) 2.00V (min) 2.00V (min)

工作电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

针脚数 8 8 8

时钟频率 20 MHz 20 MHz 20 MHz

RAM大小 128 B 128 B 64 B

位数 8 8 8

耗散功率 800 mW 800 mW 800 mW

FLASH内存容量 3584 B 3584 B 1.75 KB

存取时间 - - 20.0 µs

内核架构 - - PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 6 Input 6 Input 6 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 2 V

长度 9.27 mm 4.9 mm 10.16 mm

宽度 6.35 mm 3.9 mm 6.35 mm

高度 3.3 mm 1.5 mm 3.3 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 3A991.a.2 EAR99

HTS代码 - - 8542310001

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