IPB80N06S405ATMA1和IPB80N06S405ATMA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB80N06S405ATMA1 IPB80N06S405ATMA2

描述 D2PAK N-CH 60V 80AMOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-263-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 107W (Tc) 107 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

上升时间 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 6500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 107W (Tc) 107 W

长度 - 10 mm

宽度 - 9.25 mm

高度 - 4.4 mm

封装 TO-263-3-2 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅

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