对比图
型号 IRLR3110ZPBF IPD12CN10N G IPD16CN10N G
描述 INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IPD12CN10N G 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 100 V, 9.3 mohm, 10 V, 3 VINFINEON IPD16CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 53A, 100V, 12.2mohm, 10V, 3V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.014 Ω 9.3 mΩ 0.0122 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 125 W 100 W
阈值电压 2.5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 3980pF @25V(Vds) 4320pF @50V(Vds) 3220pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) - 100W (Tc)
额定功率 140 W - -
针脚数 3 3 -
输入电容 3980pF @25V - -
连续漏极电流(Ids) 63A - -
上升时间 110 ns 21 ns -
反向恢复时间 34 ns - -
正向电压(Max) 1.3 V - -
额定功率(Max) 140 W 125 W -
下降时间 48 ns 8 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 100 V -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm 6.5 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17