FQD20N06L和FQD20N06LETF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD20N06L FQD20N06LETF NTDV18N06LT4G

描述 LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFETDPAK N-CH 60V 17.2ADPAK N-CH 60V 18A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK DPAK TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - - 2.1 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17.2A 17.2A 18A

输入电容(Ciss) - - 675pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 2.1 W

封装 DPAK DPAK TO-252-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司