对比图
型号 IXTT1N100 IXTY1R4N100P IXTP1R4N100P
描述 TO-268 N-CH 1000V 1.5ATrans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin(2+Tab) DPAKTrans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin(3+Tab) TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-268-3 TO-252-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH - -
耗散功率 60 W 63W (Tc) 63W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 1.5A - -
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc)
上升时间 - 35 ns 35 ns
下降时间 - 28 ns 28 ns
封装 TO-268-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free