IRFB3607PBF和STP80NF55L-06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3607PBF STP80NF55L-06 PHP75NQ08T,127

描述 N沟道,75V,80A,9mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 140 W 300 W 157 W

产品系列 IRFB3607 - -

漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A -

输入电容(Ciss) 3070pF @50V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 300 W 157 W

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.008 Ω -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 55.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

上升时间 - 180 ns 36 ns

下降时间 - 80 ns 26 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 157W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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