AFT20S015NR1和MRF6S27015NR1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AFT20S015NR1 MRF6S27015NR1

描述 RF Power Transistor,100 to 3600MHz, 16.2W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1732Trans RF MOSFET N-CH 68V 3Pin TO-270 T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-270-2 TO-270-2

频率 2.17 GHz 2.6 GHz

额定电流 10 µA 10 µA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

漏源极电压(Vds) - 68 V

输出功率 1.5 W 3 W

增益 17.6 dB 14 dB

测试电流 132 mA 160 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 68 V

电源电压 28 V -

高度 - 2.08 mm

封装 TO-270-2 TO-270-2

工作温度 -40℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃

重量 529.55 mg -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -

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