BUZ41A和IRF830

对比图

型号 BUZ41A IRF830 STP5N50

描述 N沟道 500V 4.5AN - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET4.5A, 500V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Harris ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

封装 TO-220AB TO-220-3 SFM

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220AB TO-220-3 SFM

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 4.50 A -

耗散功率 - 100 W -

输入电容 - 610 pF -

栅电荷 - 30.0 nC -

漏源极电压(Vds) - 500 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.50 A -

上升时间 - 8 ns -

输入电容(Ciss) - 610pF @25V(Vds) -

下降时间 - 5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 100W (Tc) -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -