IRGB20B60PD1PBF和STGP14NC60KD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGB20B60PD1PBF STGP14NC60KD STGP20NC60V

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRGB20B60PD1PBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 40A 新STMICROELECTRONICS  STGP14NC60KD  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGP20NC60V  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 40.0 A 25.0 A 30 A

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 215 W 80 W 200 W

上升时间 5 ns 8.5 ns 11.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 215 W 80 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW 200 W

产品系列 IRGB20B60PD1 - -

热阻 0.58℃/W (RθJC) 62.5 ℃/W -

反向恢复时间 28 ns 37 ns -

输入电容 - 760 pF -

长度 10.54 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.69 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 8.77 mm 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

重量 - - 0.0960001099056 kg

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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