对比图
型号 JANSF2N2221A JANTX2N2221A 2N2221A
描述 BJT( BiPolar Junction Transistor)Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-180.5W(1/2W) General Purpose NPN Metal Can Transistor. 40V Vceo, 0.8A Ic, 25 hFE.
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Continental Device
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-18 TO-18 -
引脚数 - 3 -
封装 TO-18 TO-18 -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 - Bag -
耗散功率 - 0.5 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V -
额定功率(Max) - 500 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -