IRLI3705N和IRLI3705NPBF

对比图

型号 IRLI3705N IRLI3705NPBF LI370

描述 TO-220FP N-CH 55V 52AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定功率 - 47 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.01 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 47 W -

阈值电压 - 2 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) 52A 52A -

上升时间 - 140 ns -

输入电容(Ciss) - 3600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 58 W -

下降时间 - 78 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 58W (Tc) -

高度 - 9.8 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -