对比图
型号 IRFB4127PBF IRFB42N20DPBF IRFB4227PBF
描述 INFINEON IRFB4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 200 V, 17 mohm, 20 V, 5 VINFINEON IRFB42N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42.6 A, 200 V, 55 mohm, 10 V, 5.5 VINFINEON IRFB4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 375 W 300 W 190 W
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.017 Ω 0.055 Ω 0.0197 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 375 W 300 W 330 W
阈值电压 5 V 5.5 V 5 V
输入电容 5380 pF 3430 pF 4600 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 76A 44A 65A
上升时间 18 ns 69 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 5380pF @50V(Vds) 3430pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 32 ns 31 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 375000 mW 2.4W (Ta), 330W (Tc) 330W (Tc)
额定功率(Max) 375 W - 330 W
漏源击穿电压 - - 200 V
宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.82 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm - 10.66 mm
高度 15.65 mm - 9.02 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17