IRF7316QPBF和SI4943BDY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7316QPBF SI4943BDY-T1-E3

描述 Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; HEXFET; -30V; -4.9A; 2W; SO8双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - SOIC-8

漏源极电阻 - 19 mΩ

极性 - Dual P-Channel

耗散功率 - 2 W

漏源极电压(Vds) - 20 V

连续漏极电流(Ids) - -8.40 A

上升时间 - 10 ns

反向恢复时间 - 55 ns

正向电压(Max) - 1.2 V

额定功率(Max) - 1.1 W

下降时间 - 60 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

额定功率 2 W -

产品系列 IRF7316Q -

封装 - SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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