对比图
描述 MOSFET DRVR 48A 1Out Non-Inv 44Pin半桥 IGBT MOSFET 灌:48A 拉:48A
数据手册 --
制造商 Power Integrations (帕沃英蒂格盛) Power Integrations (帕沃英蒂格盛)
分类
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 - Module
电源电压 15 V 15 V
封装 - Module
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Active
RoHS标准
含铅标准 无铅 无铅