对比图
型号 IRF7470PBF IRF7470TR IRF7469
描述 N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SOIC N-CH 40V 10ASOIC N-CH 40V 9A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
额定电流 - 11.0 A 9.00 A
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
产品系列 - IRF7470 IRF7469
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A 9.00 A
上升时间 1.9 ns 1.90 ns 2.20 ns
输入电容(Ciss) 3430pF @20V(Vds) 3430pF @20V(Vds) 2000pF @20V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 2.5 W - -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.013 Ω - -
阈值电压 2 V - -
下降时间 3.2 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
漏源击穿电压 - - 40.0 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tape Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead