BC846BE6433和BC846BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BE6433 BC846BLT1G BC846ALT1G

描述 SOT-23 NPN 65V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFEON SEMICONDUCTOR  BC846ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 330 mW 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 300 mW 300 mW

频率 - 100 MHz 100 MHz

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 3

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 200 100

额定功率 - 300 mW -

增益频宽积 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 450 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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