BDW46G和BDX54B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDW46G BDX54B BDW46

描述 ON SEMICONDUCTOR  BDW46G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFESTMICROELECTRONICS  BDX54B  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -15.0 A -8.00 A -15.0 A

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 85 W 60 W 85 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 15A - 15A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 750 @3A, 3V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 85 W 60 W 85 W

直流电流增益(hFE) 1000 750 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

增益带宽 4MHz (Min) - -

耗散功率(Max) 85000 mW 60000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.28 mm

宽度 - 4.6 mm 4.82 mm

高度 - 9.15 mm 9.28 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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