对比图
型号 IRF5N4905 IRF5N4905PBF
描述 SMD-1P-CH 55V 55APower Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类
安装方式 Surface Mount -
引脚数 3 -
封装 SMD-1 -
极性 P-CH -
漏源极电压(Vds) 55 V -
连续漏极电流(Ids) 55A -
输入电容(Ciss) 3633pF @25V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 125000 mW -
封装 SMD-1 -
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant