CY6264-55SNC和CY6264-55SNXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY6264-55SNC CY6264-55SNXI CY6264-55SNXC

描述 8K ×8静态RAM 8K x 8 Static RAM8K ×8静态RAM 8K x 8 Static RAM8K ×8静态RAM 8K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOIC SOIC-28 SOIC-28

引脚数 - 28 28

电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

位数 - 8 -

存取时间 - 55 ns 55.0 ns

存取时间(Max) - 55 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - - 55.0 GHz

内存容量 - - 64000 B

封装 SOIC SOIC-28 SOIC-28

高度 - 2.44 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tube, Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

重量 - 0.03543690625 kg -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

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