对比图
型号 SI4925DDY-T1-GE3 SI4953ADY-T1-E3 SI4947ADY-T1-E3
描述 VISHAY SILICONIX SI4925DDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 30V, 8A, SOIC-8MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOICVISHAY SI4947ADY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.024 Ω 0.09 Ω 0.062 Ω
极性 - Dual P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 5 W 2.00 W 1.2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 4.90 A, -4.90 A -3.00 A
额定功率(Max) 5 W 1.1 W -
针脚数 8 - 8
上升时间 8 ns - 9 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @15V(Vds) - -
下降时间 12 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
热阻 - - 87℃/W (RθJA)
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.9 mm - -
高度 1.75 mm - 1.55 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete -
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15