K9F2808U0B-YCB0和NAND128R4A0AN1E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K9F2808U0B-YCB0 NAND128R4A0AN1E 250M10

描述 Flash, 16MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20MM, 0.5MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash MemoriesMASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) ST Microelectronics (意法半导体) SK Hynix (海力士)

分类

基础参数对比

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

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