CY62128EV30LL-55SXE和CY7C199D-10ZXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62128EV30LL-55SXE CY7C199D-10ZXIT CY62256EV18LL-70SNXI

描述 静态随机存取存储器 1Mb 3V 55ns 128K x 8 LP 静态随机存取存储器CY7C199D 系列 256 Kb (32 K x 8) 5 V 10 ns 静态RAM - TSOP-28256千位( 32 K A ?? 8 )静态RAM 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 32 28 28

封装 SOIC-32 TSOP-28 SOIC-28

存取时间 55 ns 10 ns 70 ns

存取时间(Max) 55 ns 10 ns 70 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 1.65V ~ 2.25V

位数 - 8 8

高度 2.82 mm 1.02 mm 2.44 mm

封装 SOIC-32 TSOP-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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