IRF614S和IRF614SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF614S IRF614SPBF

描述 MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAKMOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 3.1W (Ta), 36W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 3.1 W

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 36W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)

长度 10.67 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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