PD55008-E和PD55008L-E

对比图

型号 PD55008-E PD55008L-E PD55008

描述 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管晶体管

封装 PowerSO-10RF PowerVDFN-8 PowerSO-10

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 14 -

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 52.8 W 19.5 W 52.8 W

漏源击穿电压 40.0 V - 40.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 1.00 µA 4.00 A

输出功率 8 W 8 W 8 W

增益 17 dB 19 dB 17 dB

测试电流 150 mA 150 mA 150 mA

工作温度(Max) 165 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 40 V 40 V 40 V

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 4 A 5 A -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

输入电容(Ciss) 58pF @12.5V(Vds) 53pF @12.5V(Vds) -

输出功率(Max) - 8 W -

耗散功率(Max) 52800 mW 19500 mW -

针脚数 3 - -

长度 9.5 mm 5 mm 7.5 mm

宽度 9.4 mm 5 mm 9.4 mm

高度 3.5 mm 0.88 mm 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF PowerVDFN-8 PowerSO-10

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -