FDS4465和IRF7424TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4465 IRF7424TRPBF SI4463CDY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4465.  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.5 A, -20 V, 8.5 mohm, -4.5 V, -600 mVINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7424TRPBF  场效应管, MOSFET晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0135 Ω 0.006 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W

阈值电压 - 2.5 V 600 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 13.5 A -11.0 A 18.6A

上升时间 24 ns 23.0 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 8237pF @10V(Vds) 4030pF @25V(Vds) 4250pF @10V(Vds)

下降时间 140 ns - 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2700 mW

额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -

额定电流 -13.5 A -11.0 A -

产品系列 - IRF7424 -

额定功率(Max) 1.2 W 2.5 W -

输入电容 8.24 nF - -

栅电荷 86.0 nC - -

漏源击穿电压 -250 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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