IS42VM16200C-75BLI-TR和IS42VM16200D-75BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16200C-75BLI-TR IS42VM16200D-75BLI-TR

描述 Cache DRAM Module, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54动态随机存取存储器 32M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx16, 133Mhz, RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-54 BGA-54

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 54

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

存取时间 - 6 ns

封装 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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