对比图
型号 BZT52H-B6V8,115 BZT52H-C6V8,115 BZT52H-B6V8,135
描述 SOD-123F 6.8V 830mWBZT52H 系列 6.8 V 375 mW 表面贴装 单通道 齐纳二极管 - SOD123FZener Diode
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 2 2 -
封装 SOD-123F SOD-123F -
容差 ±2 % ±5 % -
正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -
耗散功率 830 mW 0.83 W -
测试电流 5 mA 5 mA -
稳压值 6.8 V 6.8 V -
正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -
额定功率(Max) 375 mW 375 mW -
耗散功率(Max) 830 mW 830 mW -
封装 SOD-123F SOD-123F -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -
温度系数 2.85 mV/K 2.85 mV/K -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -