BZT52H-B6V8,115和BZT52H-C6V8,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B6V8,115 BZT52H-C6V8,115 BZT52H-B6V8,135

描述 SOD-123F 6.8V 830mWBZT52H 系列 6.8 V 375 mW 表面贴装 单通道 齐纳二极管 - SOD123FZener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-123F SOD-123F -

容差 ±2 % ±5 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 830 mW 0.83 W -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 375 mW 375 mW -

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW -

封装 SOD-123F SOD-123F -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 2.85 mV/K 2.85 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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