SCS112AGC和SCS212AGC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SCS112AGC SCS212AGC

描述 肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 12AROHM  SCS212AGC  二极管, 碳化硅肖特基, 屏障, 650V系列, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-2 TO-220-2

引脚数 - 2

正向电压 1.7V @12A 1.55V @12A

耗散功率 80 W 93 W

热阻 1.6℃/W (RθJC) 1.6℃/W (RθJC)

反向恢复时间 0 ns 0 ns

正向电压(Max) 1.7V @12A 1.55 V

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温 175℃ (Max) 175℃ (Max)

正向电流 - 12 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 170 A

正向电流(Max) - 12 A

工作结温(Max) - 175 ℃

耗散功率(Max) - 93000 mW

封装 TO-220-2 TO-220-2

长度 - 9.8 mm

宽度 - 4.45 mm

高度 - 15.37 mm

产品生命周期 Not For New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司