对比图
型号 APT1001RSVRG APT10090SLLG IXFT12N100
描述 100％的雪崩测试 100% Avalanche TestedMOSFET Power MOSFET - MOS7TO-268 N-CH 1000V 12A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 D3PAK-3 D3PAK-3 TO-268-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -
额定电流 11.0 A 12.0 A -
输入电容 3.66 nF 1.97 nF -
栅电荷 225 nC 71.0 nC -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12.0 A 12A
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 280 W - 300W (Tc)
输入电容(Ciss) 3050pF @25V(Vds) - 4000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 280000 mW - 300W (Tc)
上升时间 11 ns - -
额定功率(Max) 280 W - -
下降时间 12 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 D3PAK-3 D3PAK-3 TO-268-3
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Bulk Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)