对比图
型号 IXFH26N60Q SPW35N60CFD APT47N60BC3G
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 VINFINEON SPW35N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V超级结MOSFET Super Junction MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 26.0 A 34.0 A 47.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.25 Ω 0.1 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 360 W 313 W 417 W
阈值电压 4.5 V 4 V -
输入电容 - 5.06 nF 7.01 nF
栅电荷 - 212 nC 260 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 34.0 A 47.0 A
上升时间 32 ns 25 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 5060pF @25V(Vds) 7015pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 313 W 417 W
下降时间 16 ns 12 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 313 W 417W (Tc)
额定功率 360 W - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
长度 - 16.13 mm -
宽度 5.3 mm 5.21 mm -
高度 - 21.1 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 6 g - -
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -