FDS6681Z和IRF9310TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6681Z IRF9310TRPBF IRF9310PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6681Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V-30V,-20A,4.6mΩ,单P沟道功率MOSFETSingle P-Channel 30V 6.8mOhm 58NC 2.5W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.0038 Ω 3.9 mΩ 6.8 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF9310 IRF9310

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) -20.0 A -20.0 A -20.0 A

热阻 - - 50℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) 7540pF @15V(Vds) 5250pF @15V(Vds) 5250pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -20.0 A - -

针脚数 8 - -

阈值电压 1.8 V - -

输入电容 7.54 nF - -

栅电荷 185 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 9 ns - -

下降时间 380 ns - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 4 mm 3.9 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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