JAN1N6110US和JANTX1N6110US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6110US JANTX1N6110US 1N6110US

描述 TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELFE-MELF 11.4V 500WESD 抑制器/TVS 二极管 Bi-Directional TVS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SQ-MELF SQ-MELF SQ-MELF

脉冲峰值功率 500 W 500 W 500 W

最小反向击穿电压 13.54 V 13.54 V 13.54 V

最大反向电压(Vrrm) - 11.4V -

封装 SQ-MELF SQ-MELF SQ-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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