对比图
型号 FZT857 FZT857TA ZTX857STZ
描述 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 80 MHz, 3 W, 3.5 A, 200 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High VoltageNPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 4 3
封装 SOT-223 TO-261-4 E-Line-3
频率 - 80 MHz -
额定电压(DC) - 300 V 300 V
额定电流 - 3.50 A 5.00 A
额定功率 - 3 W -
极性 - NPN NPN
耗散功率 3 W 3 W 1.2 W
击穿电压(集电极-发射极) - 300 V 300 V
集电极最大允许电流 - 3.5A 3A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @500mA, 10V 100 @500mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 100 100 @10mA, 5V
额定功率(Max) - 3 W 1.2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 3000 mW 1200 mW
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 200 - -
增益频宽积 - - 80 MHz
长度 - 6.7 mm 4.77 mm
宽度 - 3.7 mm 2.41 mm
高度 - 1.65 mm 4.01 mm
封装 SOT-223 TO-261-4 E-Line-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
军工级 Yes - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99