对比图
型号 APT56M50L IXFK55N50 IXFK48N50
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 56A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3Pin(3+Tab) TO-264AAIXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 56.0 A 55.0 A 48.0 A
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 90 mΩ 0.1 Ω
耗散功率 780 W 560 W 500 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 55.0 A 48.0 A
上升时间 45 ns 60 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 8800pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 45 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 780W (Tc) 625W (Tc) 500W (Tc)
输入电容 8.80 nF - -
栅电荷 220 nC - -
额定功率(Max) 780 W - 500 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 4 V
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
长度 26.49 mm - 19.96 mm
宽度 20.5 mm - 5.13 mm
高度 5.21 mm - 26.16 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 - - NLR