MTD4N20E和MTD4N20E1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD4N20E MTD4N20E1 FQD5N20LTM

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 4A 3Pin(2+Tab) DPAK Rail4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 200 V, 0.94 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252 CASE 369C TO-252-3

上升时间 4 ns - 90 ns

输入电容(Ciss) 311pF @25V(Vds) - 250pF @25V(Vds)

下降时间 6 ns - 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW - 2500 mW

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.94 Ω

耗散功率 - - 2.5 W

阈值电压 - - 2 V

漏源极电压(Vds) - - 200 V

额定功率(Max) - - 2.5 W

封装 TO-252 CASE 369C TO-252-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Rail - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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