对比图
型号 IRFB4310ZPBF IRFB4410ZPBF HUF75545P3
描述 INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 VINFINEON IRFB4410ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75545P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 250 W 230 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.008 Ω 10 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 230 W 270 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 6860 pF 4820 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 127A 97A 75.0 A
上升时间 60 ns 52 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 6860pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) 3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 250 W 230 W 270 W
下降时间 57 ns 57 ns 90 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 230000 mW 270W (Tc)
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 75.0 A
漏源击穿电压 100 V - 80.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.66 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.7 mm
高度 9.02 mm 9.02 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99