STGW30NC60WD和STGW39NC60VD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STGW30NC60WD STGW39NC60VD IRG4PC50UPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STGW30NC60WD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGW39NC60VD  单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚INTERNATIONAL RECTIFIER  IRG4PC50UPBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 55A 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 60.0 A 40.0 A 55.0 A

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 250 W 200 W

产品系列 - - IRG4PC50U

上升时间 12.0 ns 13 ns 20 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 50 ℃/W - 0.64℃/W (RθJC)

额定功率(Max) 200 W 250 W 200 W

下降时间 - - 130 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 200 W 250 W -

输入电容 2080 pF - -

反向恢复时间 40 ns 45 ns -

耗散功率(Max) 200 W 250 W -

栅电荷 - 126 nC -

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 40.0 A -

长度 15.75 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.31 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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