JAN1N6119A和JANTXV1N6119A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6119A JANTXV1N6119A 1N6119A

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 B - B, Axial

钳位电压 49.9 V 49.9 V 49.9 V

测试电流 30 mA 30 mA 30 mA

脉冲峰值功率 500 W 500 W 500 W

最小反向击穿电压 34.2 V - 34.2 V

击穿电压 34.2 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

封装 B - B, Axial

长度 - - 6.3 mm

宽度 - - 3.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -

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