BQ2002CSNTR和BQ2002SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ2002CSNTR BQ2002SN BQ2002CSNG4

描述 具有负 dV、PVT 的镍镉电池/镍氢电池充电控制器 8-SOIC 0 to 70NiCd/NiMH 电池充电控制器,Texas Instruments### 电池管理,Texas Instruments电池管理 NiCd/NiMH Gating Charge Mngmnt IC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电池管理芯片电池管理芯片电池管理芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 6.00V (max) -

输入电压(DC) 6.00 V 6.00 V 6.00 V

输出电流 - 2 A 2 A

针脚数 - 8 -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4 V 4 V 5 V

电源电压(Max) - 6 V -

输入电压 - 6 V -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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